Quy trình chế tạo tấm nano MoS2 (Molipđen (II) sunfua) trực tiếp bằng phương pháp lắng đọng pha hơi hóa học cho cảm biến khí NO2 ở nhiệt độ phòng

Tác giả chính: Chử Mạnh Hưng
PTN Cảm biến và Thiết bị thông minh
Ngày cấp: 27/02/2025
Tóm tắt: Giải pháp hữu ích đề xuất quy trình chế tạo cảm biến khí trên cơ sở tấm nano MoS₂ để phát hiện khí NO₂ nồng độ siêu thấp tại nhiệt độ phòng bằng phương pháp lắng đọng pha hơi hóa học, trong đó tổ hợp tấm nano MoS₂ được tạo ra trên điện cực Cr/Pt. Vật liệu nhạy khí là tổ hợp tấm nano MoS₂ được mọc trực tiếp trên điện cực bằng phương pháp lắng đọng pha hơi hóa học bởi tiền chất là bột molyden ôxít (MoO₃) và bột lưu huỳnh (S). Giải pháp theo giải pháp hữu ích này khác biệt ở chỗ, chỉ cần một công đoạn chế tạo là mọc trực tiếp tấm nano MoS₂ là thành công trong việc chế tạo được cảm biến đo khí độc tới nồng độ 0,1 ppm khí NO₂ tại nhiệt độ phòng. Giải pháp hữu ích có tiềm năng ứng dụng rất lớn với sự cảnh báo của khí độc liên quan trực tiếp tới sức khỏe con người.