QUY TRÌNH CHẾ TẠO CẢM BIẾN KHÍ TRÊN CƠ SỞ SỢI NANO SnO2 XỐP ĐỂ PHÁT HIỆN KHÍ H2S NỒNG ĐỘ SIÊU THẤP BẰNG KỸ THUẬT PHUN TĨNH ĐIỆN

Tác giả chính: Chử Mạnh Hưng
PTN Cảm biến và Thiết bị thông minh
Ngày cấp: 14/02/2023
Tóm tắt: Sáng chế đề xuất quy trình chế tạo cảm biến khí trên cơ sở sợi nano SnO₂ xốp để phát hiện khí H₂S nồng độ siêu thấp bằng kỹ thuật phun tĩnh điện, trong đó mạng lưới sợi nano SnO₂ xốp được tạo ra trên mặt phẳng đế silic ôxit (1), bao gồm các thành phần như điện cực Cr/Pt (2) (3). Vật liệu nhạy khí là mạng lưới sợi nano SnO₂ xốp được phun trực tiếp sau khi chế tạo dung dịch nano SnO₂ lên trên điện cực tạo sợi nano SnO₂ xốp. Giải pháp theo sáng chế này khác biệt ở chỗ, chỉ cần một công đoạn chế tạo dung dịch rồi phun điện phân trực tiếp tạo màng nano SnO₂ xốp là thành công trong việc chế tạo được cảm biến đo khí độc tới nồng độ 0,1 ppm khí H₂S. Sáng chế có tiềm năng ứng dụng rất lớn với sự cảnh báo sự gây ô nhiễm môi trường liên quan trực tiếp tới sức khỏe con người.