Đơn tinh thể 4H/6H-SiC chất lượng cao từ dummy grade trở lên

Đại diện Nhóm nghiên cứu: TS. Hà Minh Tân

PTN Vật liệu điện tử

Tên đề tài: Chế tạo đơn tinh thể SiC cho ứng dụng bán dẫn công suất cao

- Đơn tinh thể SiC loại 4H hoặc 6H.
- Pha tạp: N-type hoặc Bán cách điện.
- Đường kính: từ 2 inch trở lên.
- Định hướng: on-axis, <0001> +/- 0.5 độ.
- Mật độ micropipe: <50 cm-2.