Kênh dẫn sóng plasmon lai
- Chủ nhật - 01/02/2026 21:08
- In ra
- Đóng cửa sổ này
Tác giả chính: Chu Mạnh Hoàng
PTN Công nghệ vi hệ thống và nano quang tử
Ngày cấp: 16/06/2020
Tóm tắt: Giải pháp hữu ích đề cập đến kênh dẫn sóng plasmon lai. Kênh dẫn sóng plasmon lai bao gồm một kênh điện môi chỉ số cao, phía trên đỉnh kênh điện môi chỉ số cao này có một lớp điện môi chỉ số thấp và một lớp kim loại bên trên lớp điện môi chỉ số thấp này. Sóng plasmon sẽ được dẫn trong lớp điện môi chỉ số thấp. Kênh điện môi chỉ số cao có thể là dạng hình thang đơn giản hoặc kênh dạng hình thang có đế phía dưới. Kênh điện môi chỉ số cao cũng có thể là dạng hình bán nguyệt đơn giản hoặc kênh dạng hình bán nguyệt có đế phía dưới. Kênh điện môi chỉ số cao có thể được chế tạo bằng kỹ thuật khắc, ăn mòn dị hướng hoặc ăn mòn khô. Lớp điện môi chỉ số thấp được tạo bằng phương pháp oxy hóa hoặc lắng đọng vật lý hoặc hóa học. Lớp kim loại có thể được lắng đọng khi sử dụng phương pháp lắng đọng vật lý như phún xạ, bốc bay. Chiều rộng của lớp điện môi chỉ số thấp và lớp kim loại có thể có chiều rộng khác nhau và nhỏ hơn kích thước cạnh trên của kênh điện môi chỉ số cao. Kênh điện môi chỉ số cao có thể sử dụng các vật liệu điện môi khác hoặc vật liệu có tính chất khuếch đại quang.
PTN Công nghệ vi hệ thống và nano quang tử
Ngày cấp: 16/06/2020
Tóm tắt: Giải pháp hữu ích đề cập đến kênh dẫn sóng plasmon lai. Kênh dẫn sóng plasmon lai bao gồm một kênh điện môi chỉ số cao, phía trên đỉnh kênh điện môi chỉ số cao này có một lớp điện môi chỉ số thấp và một lớp kim loại bên trên lớp điện môi chỉ số thấp này. Sóng plasmon sẽ được dẫn trong lớp điện môi chỉ số thấp. Kênh điện môi chỉ số cao có thể là dạng hình thang đơn giản hoặc kênh dạng hình thang có đế phía dưới. Kênh điện môi chỉ số cao cũng có thể là dạng hình bán nguyệt đơn giản hoặc kênh dạng hình bán nguyệt có đế phía dưới. Kênh điện môi chỉ số cao có thể được chế tạo bằng kỹ thuật khắc, ăn mòn dị hướng hoặc ăn mòn khô. Lớp điện môi chỉ số thấp được tạo bằng phương pháp oxy hóa hoặc lắng đọng vật lý hoặc hóa học. Lớp kim loại có thể được lắng đọng khi sử dụng phương pháp lắng đọng vật lý như phún xạ, bốc bay. Chiều rộng của lớp điện môi chỉ số thấp và lớp kim loại có thể có chiều rộng khác nhau và nhỏ hơn kích thước cạnh trên của kênh điện môi chỉ số cao. Kênh điện môi chỉ số cao có thể sử dụng các vật liệu điện môi khác hoặc vật liệu có tính chất khuếch đại quang.