Kênh dẫn sóng plasmon khe hẹp lai tùy biến với kênh kim loại được bảo vệ trong môi trường hoạt động
- Chủ nhật - 01/02/2026 04:32
- In ra
- Đóng cửa sổ này
Tác giả chính: Chu Mạnh Hoàng
PTN Công nghệ vi hệ thống và nano quang tử
Ngày cấp: 12/06/2025
Tóm tắt: Sáng chế đề cập đến kênh dẫn sóng plasmon khe hẹp lai tùy biến với kênh kim loại được bảo vệ bởi một lớp điện môi oxit mỏng trơ với môi trường hoạt động. Cấu trúc của kênh dẫn sóng plasmon khe hẹp lai bao gồm một kênh điện môi chỉ số khúc xạ cao kết cặp với một kênh dẫn kim loại plasmonic thông qua một lớp điện môi chỉ số khúc xạ thấp. Lớp điện môi chỉ số khúc xạ thấp ở đây là lớp điện môi oxit mỏng trơ với môi trường hoạt động. Kênh dẫn kim loại được tạo từ kim loại có tính chất dẫn sóng plasmon tốt nhưng dễ bị oxy hóa, nhưng nó cũng có thể được tạo từ kim loại có tính chất trơ về mặt hóa học. Giao diện kênh kim loại-lớp điện môi chỉ số khúc xạ thấp-kênh điện môi chỉ số khúc xạ cao được thu nhỏ kích thước để có thể điều khiển tích chất truyền dẫn sóng plasmon bằng cách nhiễu loạn trường rìa ở giao diện. Trường rìa có thể được nhiễu loạn thông qua điều khiển chiết suất của môi trường bao quanh giao diện. Kênh điện môi chỉ số khúc xạ cao có thể có mặt cắt ngang có bất kỳ hình dạng như hình chữ nhật, hình vuông, hình tam giác, hình tròn, hình thang hoặc kênh dẫn sóng có đế phía dưới. Kênh dẫn sóng kim loại có thể có bất kỳ một hình dạng như nêm chữ V, hình tam giác, hình chữ nhật, hình thang, hình vành khăn. Kênh điện môi chỉ số khúc xạ cao có thể được chế tạo bằng kỹ thuật khắc, ăn mòn dị hướng hoặc ăn mòn khô. Kênh điện môi chỉ số khúc xạ cao có thể sử dụng các vật liệu điện môi khác, có thể là vật liệu thụ động hoặc tích cực hoặc vật liệu có tính chất khuếch đại quang. Lớp điện môi chỉ số khúc xạ thấp và lớp kim loại được tạo bằng phương pháp lắng đọng vật lý như phún xạ, oxy hóa, bốc bay. Giao diện giữa kênh kim loại và kênh dẫn sóng điện môi chỉ số khúc xạ cao được tạo bằng kỹ thuật vi cơ điện tử.
PTN Công nghệ vi hệ thống và nano quang tử
Ngày cấp: 12/06/2025
Tóm tắt: Sáng chế đề cập đến kênh dẫn sóng plasmon khe hẹp lai tùy biến với kênh kim loại được bảo vệ bởi một lớp điện môi oxit mỏng trơ với môi trường hoạt động. Cấu trúc của kênh dẫn sóng plasmon khe hẹp lai bao gồm một kênh điện môi chỉ số khúc xạ cao kết cặp với một kênh dẫn kim loại plasmonic thông qua một lớp điện môi chỉ số khúc xạ thấp. Lớp điện môi chỉ số khúc xạ thấp ở đây là lớp điện môi oxit mỏng trơ với môi trường hoạt động. Kênh dẫn kim loại được tạo từ kim loại có tính chất dẫn sóng plasmon tốt nhưng dễ bị oxy hóa, nhưng nó cũng có thể được tạo từ kim loại có tính chất trơ về mặt hóa học. Giao diện kênh kim loại-lớp điện môi chỉ số khúc xạ thấp-kênh điện môi chỉ số khúc xạ cao được thu nhỏ kích thước để có thể điều khiển tích chất truyền dẫn sóng plasmon bằng cách nhiễu loạn trường rìa ở giao diện. Trường rìa có thể được nhiễu loạn thông qua điều khiển chiết suất của môi trường bao quanh giao diện. Kênh điện môi chỉ số khúc xạ cao có thể có mặt cắt ngang có bất kỳ hình dạng như hình chữ nhật, hình vuông, hình tam giác, hình tròn, hình thang hoặc kênh dẫn sóng có đế phía dưới. Kênh dẫn sóng kim loại có thể có bất kỳ một hình dạng như nêm chữ V, hình tam giác, hình chữ nhật, hình thang, hình vành khăn. Kênh điện môi chỉ số khúc xạ cao có thể được chế tạo bằng kỹ thuật khắc, ăn mòn dị hướng hoặc ăn mòn khô. Kênh điện môi chỉ số khúc xạ cao có thể sử dụng các vật liệu điện môi khác, có thể là vật liệu thụ động hoặc tích cực hoặc vật liệu có tính chất khuếch đại quang. Lớp điện môi chỉ số khúc xạ thấp và lớp kim loại được tạo bằng phương pháp lắng đọng vật lý như phún xạ, oxy hóa, bốc bay. Giao diện giữa kênh kim loại và kênh dẫn sóng điện môi chỉ số khúc xạ cao được tạo bằng kỹ thuật vi cơ điện tử.