Kênh dẫn sóng plasmon gáp lai tùy biến với các thành phần kết cặp nằm ngang
- Thứ bảy - 31/01/2026 21:07
- In ra
- Đóng cửa sổ này
Tác giả chính:Chu Mạnh Hoàng
PTN Công nghệ vi hệ thống và nano quang tử
Ngày cấp: 13/05/2022
Tóm tắt: Sáng chế đề cập đến kênh dẫn sóng plasmon lai tùy biến với các thành phần được kết cặp nằm ngang, trong đó đặc biệt có một kênh điện môi chỉ số khúc xạ cao, có mặt cắt ngang có hình dạng thuộc một trong các hình dạng sau: hình chữ nhật, hình vuông hoặc hình tròn; kết cặp với kênh điện môi chỉ số khúc xạ cao là một cấu trúc kim loại có mặt cắt ngang thuộc một trong các hình dạng sau: hình tam giác hoặc hình chữ nhật; khe giữa kênh dẫn sóng chỉ số khúc xạ cao và cấu trúc kim loại có thể là một trong các dạng: vật liệu điện môi chỉ số thấp hoặc vật liệu tích cực; khoảng cách khe có thể tùy biến. Tính chất mốt plasmon truyền được điều khiển bằng cách thay đổi hình học hoặc kích thước kênh điện môi chỉ số cao, thông số hình học hoặc vật liệu lớp điện môi chỉ số thấp hoặc hình học của cấu trúc kim loại. Đặc trưng truyền của kênh dẫn sóng cũng có thể được tùy biến bằng cách thay đổi khoảng cách khe điện môi hoặc điều khiển chiết suất của lớp điện môi chỉ số thấp khi sử dụng chấp hành cơ quang điện tử, điều khiển điện hoặc điều khiển quang … Kênh điện môi chỉ số cao có thể được chế tạo bằng kỹ thuật khắc, ăn mòn ướt hoặc ăn mòn khô. Cấu trúc lớp kim loại có thể được chế tạo bằng phương pháp lắng đọng vật lý, ăn mòn hóa học, hoặc ăn mòn vật lý. Kênh điện môi chỉ số cao có thể sử dụng các vật liệu điện môi khác hoặc vật liệu có tính chất khuếch đại quang.
PTN Công nghệ vi hệ thống và nano quang tử
Ngày cấp: 13/05/2022
Tóm tắt: Sáng chế đề cập đến kênh dẫn sóng plasmon lai tùy biến với các thành phần được kết cặp nằm ngang, trong đó đặc biệt có một kênh điện môi chỉ số khúc xạ cao, có mặt cắt ngang có hình dạng thuộc một trong các hình dạng sau: hình chữ nhật, hình vuông hoặc hình tròn; kết cặp với kênh điện môi chỉ số khúc xạ cao là một cấu trúc kim loại có mặt cắt ngang thuộc một trong các hình dạng sau: hình tam giác hoặc hình chữ nhật; khe giữa kênh dẫn sóng chỉ số khúc xạ cao và cấu trúc kim loại có thể là một trong các dạng: vật liệu điện môi chỉ số thấp hoặc vật liệu tích cực; khoảng cách khe có thể tùy biến. Tính chất mốt plasmon truyền được điều khiển bằng cách thay đổi hình học hoặc kích thước kênh điện môi chỉ số cao, thông số hình học hoặc vật liệu lớp điện môi chỉ số thấp hoặc hình học của cấu trúc kim loại. Đặc trưng truyền của kênh dẫn sóng cũng có thể được tùy biến bằng cách thay đổi khoảng cách khe điện môi hoặc điều khiển chiết suất của lớp điện môi chỉ số thấp khi sử dụng chấp hành cơ quang điện tử, điều khiển điện hoặc điều khiển quang … Kênh điện môi chỉ số cao có thể được chế tạo bằng kỹ thuật khắc, ăn mòn ướt hoặc ăn mòn khô. Cấu trúc lớp kim loại có thể được chế tạo bằng phương pháp lắng đọng vật lý, ăn mòn hóa học, hoặc ăn mòn vật lý. Kênh điện môi chỉ số cao có thể sử dụng các vật liệu điện môi khác hoặc vật liệu có tính chất khuếch đại quang.